来源： 时间：2021-11-10 16:35:08
三星电子宣布将开始批量生产业界首个基于第二代高带宽内存 (HBM2) 接口的4 GB DRAM封装。
4gb DRAM封装基于第二代HBM (HBM2) 接口，可以以超过当前DRAM性能限制七倍的速度传输数据。
新的RAM旨在用于高性能计算 (HpC)，高级图形和网络系统以及企业服务器。
三星电子内存营销高级副总裁Sewon Chun在一份声明中说: “通过大规模生产下一代HBM2 DRAM，我们可以为全球IT公司快速采用下一代HpC系统做出更多贡献。”
三星表示，新推出的4gb HBM2 DRAM基于该公司的20纳米工艺，具有256GBps的带宽，是HBM1 DRAM封装的两倍。三星还表示，其新RAM比以前的版本更省电。
三星还计划在今年内开始生产8gb HBM2 DRAM封装。
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